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沉積系統(tǒng)

便攜式樣品傳送腔體激光沉積系統(tǒng) 原子層沉積設備

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原子層沉積和磁控濺射的區(qū)別

詳細介紹

品牌	其他品牌	應用領域	環(huán)保,化工,電子

低真空化學氣相沉積設備（LPCVD）是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可以提高整個基板的均勻性。除此之外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。與大氣壓下的傳統(tǒng)CVD製程相比，LPCVD的優(yōu)勢在於：每批製程可裝載更多的晶圓（每批100-200個晶圓）、晶圓內的厚度均勻性得到了改善（<±3％），並且降低生產(chǎn)成本。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺溫度)，並提供高品質的薄膜。

低真空化學氣相沉積設備參數(shù)

應用領域	腔體
碳納米管和石墨烯的製程。 SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜製程。熱退火。擴散製程。氧化製程。	加熱爐配置：水平或垂直，結合傳送機構。
配置和優(yōu)點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達8寸晶圓。單載片或多載片。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±5％。精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納10條氣體管線。穩(wěn)定的溫度控制，可將載盤加熱至1700°C。	可以與傳送腔(單載臺或多載臺)整合在一起。

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低真空化學氣相沉積設備

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