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電漿原子層沉積設(shè)備

簡要描述:電漿原子層沉積設(shè)備是一種基于常規(guī)ALD的先進方法,其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件,而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-07-10
  • 訪  問  量:604

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,電子

電漿原子層沉積設(shè)備(PEALD)是一種基於常規(guī)ALD的先進方法,其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件,而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。 製程中只需靠電漿來進行裂化前驅(qū)物材料,無需高溫來傳遞必要的活化能。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制電漿與ALD的製程,薄膜的厚度和均勻度皆+/- 1%。


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電漿原子層沉積設(shè)備參數(shù):

應(yīng)用領(lǐng)域腔體
  • 高k值之氧化物。

  • OLED和矽太陽能電池的鈍化層。

  • 微機電系統(tǒng)。

  • 納米電子學(xué)。

  • 納米孔結(jié)構(gòu)薄膜。

  • 光學(xué)薄膜。

  • 薄膜封裝技術(shù)。

  • 鋁腔或者不銹鋼腔體,其佔地面積小,可縮短製程時間。

  • 通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。




配置和優(yōu)點選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達300mm晶圓。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±1%。

  • 較高的深寬比和複雜結(jié)構(gòu)具有相同特性之薄膜沉積。

  • 遠(yuǎn)程等離子體電漿源。

  • 前驅(qū)物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。

  • 快速脈衝的氣體輸送閥,反應(yīng)時間為10毫秒。

  • 通過穩(wěn)定的溫度控制,將基板載盤加熱到800°C。

  • 材料:Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。

  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。

  • 橢圓偏振光譜儀。

  • 高真空傳送系統(tǒng)。






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應(yīng)用領(lǐng)域腔體
  • 高k值之氧化物。

  • OLED和矽太陽能電池的鈍化層。

  • 微機電系統(tǒng)。

  • 納米電子學(xué)。

  • 納米孔結(jié)構(gòu)薄膜。

  • 光學(xué)薄膜。

  • 薄膜封裝技術(shù)。

  • 鋁腔或者不銹鋼腔體,其佔地面積小,可縮短製程時間。

  • 通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。




配置和優(yōu)點選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達300mm晶圓。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±1%。

  • 較高的深寬比和複雜結(jié)構(gòu)具有相同特性之薄膜沉積。

  • 遠(yuǎn)程等離子體電漿源。

  • 前驅(qū)物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。

  • 快速脈衝的氣體輸送閥,反應(yīng)時間為10毫秒。

  • 通過穩(wěn)定的溫度控制,將基板載盤加熱到800°C。

  • 材料:Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。

  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。

  • 橢圓偏振光譜儀。

  • 高真空傳送系統(tǒng)。







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